UPS不间断电源品牌山特城堡3C系列3C3EX20KS 20KVA/16KW安全可靠

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BM=LP*IP/AE*NP，指的是计算磁感应强度。两个计算公式都可以用于DCM、CCM模式设计。二者的区别在于，BM=BAC+BDC（里面到底除不除以2，要去查一下书，忘记了。因此，反激变压器的绕组结构设计的优劣在很大程度上决定了反激变换器性能的优劣。

　　其含义包括：1、绕组结构对变换器性能的影响程度，反激变换器较之其他任何变换器都更为。2、绕组结构的改善与对反激变换器的性能改善起着决定性的作用。3、反激变换器设计的着重点就是变压器绕组结构的设计，忙其他事远不如忙这件事来得正确。

　　4、其他事考虑得再周全，只要绕组结构没设计好，都是空事。5、绕组结构重要、要紧，比重要、比占空比重要，比磁重要，比其他任何参数都重要。绕组结构的约束条件：1、窗口约束，线包总得能装进去吧。太瘦也不好吧。